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8/12寸SOI代工業務工藝流程:晶圓磨邊-晶圓鍵合-晶圓減薄
對準精度:≤50um,頂硅厚度≥2um、埋氧厚度100nm-5um,顆粒度≤30ea@0.2um
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CSAM結果:無>2mm空隙 | 晶圓片頂視圖:晶圓片邊緣修整2.5mm |
8/12寸SOI代工業務工藝流程:晶圓磨邊-晶圓鍵合-晶圓減薄
對準精度:≤50um,頂硅厚度≥2um、埋氧厚度100nm-5um,顆粒度≤30ea@0.2um
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CSAM結果:無>2mm空隙 | 晶圓片頂視圖:晶圓片邊緣修整2.5mm |